本帖最后由 jiang 于 2018-8-25 14:33 编辑
7月17日上午消息,三星今晨宣布,成功开发出业内首款LPDDR5-6400内存芯片,基于10nm级(10~20nm)工艺。 据悉,该LPDDR5内存芯片单颗容量8Gb(1GB),8GB容量的模组原型也做出并完成功能验证。 其它基本规格还有,内存速度(针脚带宽)最高6400Mbps,是LPDDR4X 4266Mbps的1.5倍。三星称,每秒可以传送51.2GB数据(比如高端手机常见的64bit bus),相当于14部1080P电影(每部3.7GB)。要是PC的128bit BUS,每秒破100GB无压力。 与此同时,功耗比LPDDR4X降低高达30%,主要是得益于动态调节电压、避免无效消耗、深度睡眠等技术加入。 三星的8Gb LPDDR5规格弹性较高,1.1V工作电压下可达6400Mbps,1.05V下可达5500Mbps,供手机、车载平台自行选择。 资料显示,三星在2014年首先成功量产8Gb LPDDR4内存芯片,之后,就开始推进向LPDDR5新标准的过渡。 新的8Gb LPDDR5内存芯片是三星高端DRAM产品线的一部分,后者已经包括10nm级的16Gb GDDR6显存芯片(2017年12月量产)和16Gb DDR5内存芯片(今年2月份开发完成)。 LPDDR5内存芯片将用于移动设备如手机、平板、二合一电脑等,三星称,5G和AI将是其主力服务的场景。 三星将在位于韩国平泽市的工厂量产LPDDR5、GDDR6和DDR5 DRAM芯片。
目前国内的存储芯片几乎全部依赖进口,特别是此前的“中兴事件”给了我们沉重的思考。与三星、美光、SK Hynix相比,国内公司在DRAM内存芯片生产上依然是0,还处于研发阶段。紫光旗下的西安紫光国芯虽然有DDR3、DDR4内存颗粒生产,不过技术来源还是已经破产的奇梦达,距离大规模量产依然有很长的路要走。
不过,也不是一点进展都没有,国产芯片公司合肥长鑫已经投产8Gb LPDDR4芯片,预计于2018年年底推出8Gb DDR4工程样品,2019年三季度推出8Gb LPDDR4,到2019年年底,产能将达到2万片一个月,这也是国产DRAM产业的一个里程碑。
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