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内存价格暴涨期终结，美国存储器巨头美光下调资本支出和产量

从2018年开始，NAND闪存价格已出现疲软，并将持续到2019年，而DRAM内存价格在三季度也由涨转跌，三大存储器厂商纷纷进行业务调整。

12月19日，美国存储器大厂美光公司发布了截至11月29日的2019财年一季度财报。报告显示，美光当季营收79.1亿美元，同比增长16%，净利润32.9亿美元，同比增长23%。不过，由于营收和下季度业绩展望低于分析师预期，美光股价在盘后下跌近9%。

美光预计，2019年DRAM和NAND需求将减弱，因此下调了第二财季的营收，预计为57亿到63亿美元之间，低于分析师预期的73亿美元。美光公司总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra在随后的电话会议上表示，“我们正采取果断行动，包括大幅降低2019财年资本开支”，减少NAND 及DRAM产量以维持价格。

在美光之前，其在韩国的竞争对手三星和SK海力士也进行了调整。SK海力士此前表示，为了应对2019年NAND 及DRAM价格下跌的趋势，该公司决定自2018年底前开始减少投资规模，并将监控调整2019年的产能。

全球最大的存储器厂商三星也表示，将放缓存储器半导体业务的扩张步伐。据了解，三星2018年下半年原计划对DRAM及NAND Flash进行新投资，但现在或将延至2019年，取而代之的是对现有产线进行补强投资。

目前，三星、SK海力士、美光在DRAM产业的市占率达到90%以上。在暴涨了近两年后，存储器价格终于下跌。

自2016年以来的存储器价格持续上涨让三星打败了英特尔，成为全球最大的半导体厂商。

中国是世界上最大的集成电路市场，占全球份额一半以上。受存储芯片涨价影响，中国2017年进口存储芯片889.21亿美元，同比2016年的637.14亿美元增长39.56%。

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新报告指出，随着64/72层3D NAND生产良率渐趋成熟及供给持续增加，第三季NAND Flash供给稳定成长。

但受中美贸易摩擦影响，加上英特尔CPU缺货、苹果新机销售不如预期等因素，导致旺季不旺。自年初以来的供给过剩仍难以消弭，NAND Flash各类产品合约价仍走跌，第三季平均价格跌幅达10-15%。

展望第四季度，DRAMeXchange分析师叶茂盛指出，由于欧美节庆备货已大致完成、模组厂及各OEM节制库存，以及中美贸易摩擦持续进行，导致需求持续走弱，预计第四季仍维持供过于求态势，各类产品合约价跌幅加剧。

对于DRAM，该机构称，10月份的DRAM合约价已经正式走跌，除了宣告DRAM价格涨势告一段落，供过于求加上高库存水位的影响更导致价格跌幅剧烈。

预期在供给端、渠道端、采购端库存尚未完全消化前，2019年第一季的合约价恐将面临更大的跌价压力。

Sanjay在电话会议上也表示，DRAM价格疲软的态势将持续。“由于DRAM价格长期上涨，我们认为部分客户的库存高于正常情况。随着DRAM供应赶上需求，这些客户正在降低库存水平。”

他指出，智能手机业务部门的需求也在继续减弱。此外，英特尔CPU短缺的影响也在持续。 “虽然我们的客户以及市场对工业、云、企业等细分市场的需求是稳健的，但此次库存调整期将导致DRAM的需求疲软，并将可能会持续到2019年上半年。”

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